该项目总投资超过200亿元人民币，目前设备安装调试阶段已启动，预计2025年5月实现量产通线。长飞先进武汉基地位于高新七路，一期占地面积达344亩，将汇聚全球碳化硅半导体领域的上千位人才，打造国内碳化硅产能最大的一体化新高地。

　　碳化硅作为第三代半导体材料的代表，以其耐高温、耐高压、高频化、低损耗等特性，在新能源汽车、风光储、智能电网、数据中心、轨道交通等多个领域具有广泛应用，被誉为新能源领域的“下一代功率半导体”。长飞先进武汉晶圆厂总经理李刚表示，一片直径6英寸的晶圆可分割出数百颗碳化硅芯片，用于5台新能源车。基地采用先进设备，产品性能将大幅提升，达产后将具备年产36万片碳化硅芯片的制造能力，有效缓解国内新能源汽车高端芯片需求。

　　长飞先进武汉基地项目自2023年9月1日破土动工，至2024年6月完成主体建筑结构封顶，首台晶圆厂工艺设备已于2024年底搬入，创造了百亿级投资超大项目建设的新速度。李刚表示，项目组协调各相关单位推进项目建设，提供全方位保障，预计能比原计划提前至少两个月完成。